介電常數(shù)介質(zhì)損耗因數(shù)檢測(cè)儀技術(shù)參數(shù):

信號(hào)源頻率范圍:      DDS數(shù)字合成 10KHz-70MHz

Q測(cè)量范圍:          1-1000自動(dòng)/手動(dòng)量程

信號(hào)源頻率覆蓋比:   6000:1

Q分辨率:           4位有效數(shù),分辨率0.1

信號(hào)源頻率精度:   3×10-5 ±1個(gè)字,6位有效數(shù)

Q測(cè)量工作誤差:       <5%

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電感測(cè)量范圍:       15nH-8.4H,4位有效數(shù),分辨率0.1nH

調(diào)諧電容:           主電容30-500PF

電感測(cè)量誤差:       <5%

調(diào)諧電容誤差和分辨率:±1.5P或<1%

標(biāo)準(zhǔn)測(cè)量頻點(diǎn):       全波段任意頻率下均可測(cè)試

Q合格預(yù)置范圍:       5-1000聲光提示

諧振點(diǎn)搜索:       自動(dòng)掃描

Q量程切換:           自動(dòng)/手動(dòng)

諧振指針:           LCD顯示

LCD顯示參數(shù):       F,L,C,Q,波段等

介電常數(shù)介質(zhì)損耗因數(shù)檢測(cè)儀

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介電常數(shù)測(cè)試儀GDAT高頻Q表

介電常數(shù)測(cè)試儀附表二,LKI-1電感組典型測(cè)試數(shù)據(jù)

介電常數(shù)介質(zhì)損耗(介質(zhì)損耗角)測(cè)試儀 
 
型號(hào):GDAT-C

介電常數(shù)測(cè)試儀主要特點(diǎn):
空洞共振腔適用于CCL/印刷線路板,薄膜等非破壞性低介電損耗材料量測(cè)。 印電路板主要由玻纖與環(huán)氧樹脂組成的, 玻纖介電常數(shù)為5~6, 樹脂大約是3, 由于樹脂含量, 硬化程度, 溶劑殘留等因素會(huì)造成介電特性的偏差, 傳統(tǒng)測(cè)量方法樣品制作不易, 尤其是薄膜樣品( 小于 10 mil) 量測(cè)值偏低,。 

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介電常數(shù)測(cè)試儀主要技術(shù)特性:
介質(zhì)損耗和介電常數(shù)是各種電瓷、裝置瓷、電容器等陶瓷,還有復(fù)合材料等的一項(xiàng)重要的物理性質(zhì),通過測(cè)定介質(zhì)損耗角正切tanδ及介電常數(shù)(ε),可進(jìn)一步了解影響介質(zhì)損耗和介電常數(shù)的各種因素,為提高材料的性能提供依據(jù);儀器的基本原理是采用高頻諧振法,并提供了,通用、多用途、多量程的阻抗測(cè)試。它以單片計(jì)算機(jī)作為儀器的控制,測(cè)量核心采用了頻率數(shù)字鎖定,標(biāo)準(zhǔn)頻率測(cè)試點(diǎn)自動(dòng)設(shè)定,諧振點(diǎn)自動(dòng)搜索,Q值量程自動(dòng)轉(zhuǎn)換,數(shù)值顯示等新技術(shù),改進(jìn)了調(diào)諧回路,使得調(diào)諧測(cè)試回路的殘余電感減至zei低,并保留了原Q表中自動(dòng)穩(wěn)幅等技術(shù),使得新儀器在使用時(shí)更為方便,測(cè)量值更為精確。儀器能在較高的測(cè)試頻率條件下,測(cè)量高頻電感或諧振回路的Q值,電感器的電感量和分布電容量,電容器的電容量和損耗角正切值,電工材料的高頻介質(zhì)損耗,高頻回路有效并聯(lián)及串聯(lián)電阻,傳輸線的特性阻抗等。

介質(zhì)損耗測(cè)試裝置

介質(zhì)損耗測(cè)試裝置與精密數(shù)字電橋配用,能對(duì)薄膜和各種板材絕緣材料進(jìn)行高低頻介質(zhì)損耗角正切值(tanδ)和介電常數(shù)(ε)的測(cè)試。它符合國標(biāo)GB/T 1409-2006, GB/T 1693-2007,美標(biāo)ASTM D150以及IEC60250規(guī)范要求。

本測(cè)試裝置是由平板電容器組成,平板電容器一般用來夾被測(cè)樣品,配用電橋作為指示儀器。絕緣材料的損耗角正切值(tanδ)和介電常數(shù)(ε)是通過被測(cè)樣品放進(jìn)平板電容器和不放進(jìn)樣品的D值(損耗因素)變化和Cp(電容值)讀數(shù)通過公式計(jì)算得到。

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